Скрытое объявление будет перемещено в раздел "Неактивные", а опубликовать его заново можно будет только активируя новый тариф.
Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы отечественного производства
№98091 Создано: 15 января
Адрес:Воронеж, Россия
Куплю / Продаю:Продаю
Состояние:Новое
Год выпуска:2023 г.
Гарантия:Да
От производителя:Российский производитель
Порядок оплаты:Предоплата
Научно-исследовательский институт электронной техники, являясь ведущим отечественным разработчиком мощных СВЧ-транзисторов, в частности, специализируется на разработке и производстве транзисторов для передатчиков эфирного вещаний. Именно транзисторы АО «НИИЭТ» обеспечили надежность и качество государственной системы аналогового телевизионного эфирного вещания нашей страны в XX веке и начале XXI века. Сегодня институт реализует проект по разработке первых отечественных транзисторов для цифрового эфирного телевизионного вещания. Специалисты предприятия успешно завершили испытания LDMOS-транзисторов КП9171А и КП9171БС. Изделия соответствуют требованиям технического задания и не уступают лучшим мировым аналогам. При этом, транзистор КП9171БС, являясь первым отечественным несимметричным транзистором, разработанным для применения в схемах Догерти, обеспечивает наилучшее сочетание линейности характеристик, выходной мощности и эффективности. Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы разработки АО «НИИЭТ» не имеют аналогов в нашей стране и способны удовлетворить специфические требования работы в передатчике сигнала стандартов DVB-T/ DVB-T2, при этом обеспечивая высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия в сочетании с высокой линейностью передаточной характеристики. Потенциальным потребителям уже предоставлены тестовые образцы. Первые серийные поставки изделия запланированы на четвертый квартал этого года, в настоящее время принимаются заявки. Работа по созданию мощных СВЧ LDMOS-транзисторов с улучшенной энергоэффективностью для передатчиков цифрового эфирного телевещания выполнялась при софинансировании из федерального бюджета в рамках программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252. Основные параметры транзистора КП9171А: коэффициент усиления по мощности – не менее 20 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 45%, коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка – не более -30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц. При этом транзистор обладает практически двукратным запасом по мощности 250 Вт. Основные энергетические параметры транзистора КП9171БС: коэффициент усиления по мощности – не менее 18,6 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 50%, значение параметра IMDSHLDR – не более -33 дБ при непрерывной выходной мощности 180 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 550 МГц. При этом транзистор обеспечивает до 1кВт пиковой импульсной мощности.
Более подробно читайте на сайте разработчика https://niiet.ru/goods/civilian_microcontrollers/?ysclid=lje0f7ppcu350141023